RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Comparez
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Note globale
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Note globale
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
42
Autour de -56% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.3
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.3
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
27
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
20.3
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
17.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2150
4008
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Comparaison des RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link