RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
42
Wokół strony -56% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.3
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.3
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
27
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
20.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
17.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
4008
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link