RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
52
Wokół strony 54% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
7.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
52
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2169
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link