RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
52
Wokół strony 48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
7.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
52
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
2169
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link