RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
52
Около 54% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
10
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
7.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
52
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
10.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2169
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
INTENSO 5641162 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link