RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
27
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
23
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
2545
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link