RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Porównaj
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Wynik ogólny
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wynik ogólny
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR533D2N4 512MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
75
76
Wokół strony 1% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.3
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.9
1,672.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
4200
Wokół strony 5.07 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
76
Prędkość odczytu, GB/s
1,943.5
10.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,672.1
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
21300
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
301
1260
Kingston KVR533D2N4 512MB Porównanie pamięci RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link