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Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Comparar
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Pontuação geral
Kingston KVR533D2N4 512MB
Pontuação geral
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
75
76
Por volta de 1% menor latência
Razões a considerar
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
10.3
1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.9
1,672.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
4200
Por volta de 5.07 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
75
76
Velocidade de leitura, GB/s
1,943.5
10.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,672.1
6.9
Largura de banda de memória, mbps
4200
21300
Other
Descrição
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
301
1260
Kingston KVR533D2N4 512MB Comparações de RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB Comparações de RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
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