RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
65
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
65
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
1932
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link