RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
65
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
65
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
1932
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston K531R8-MIN 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link