RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
46
65
Rund um 29% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
15.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
3200
Rund um 5.31 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
65
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
8.5
Speicherbandbreite, mbps
3200
17000
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
1932
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Catalyst 01GN80KFUA8 1GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link