RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Comparez
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Note globale
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
42
Autour de -35% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.7
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
31
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
17.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2150
3313
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Comparaison des RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link