RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Comparez
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Note globale
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
42
Autour de -50% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.5
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.3
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
28
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
15.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2150
3673
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Comparaison des RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9P1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link