RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
28
Autour de -8% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.9
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.2
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
8500
Autour de 2.26 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
26
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
18.9
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
16.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
19200
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
3857
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Kingston KF073F-ELF 2GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link