RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
28
Autour de -8% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.9
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.2
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
8500
Autour de 2.26 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
26
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
18.9
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
16.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
19200
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
3857
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link