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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
28
En -8% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.9
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.2
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
8500
En 2.26 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
26
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
18.9
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
16.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
19200
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
3857
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
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Kingston 9965639-002.A01G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
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