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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
28
左右 -8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.9
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.2
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
26
读取速度,GB/s
12.7
18.9
写入速度,GB/s
7.5
16.2
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
3857
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
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