RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Comparez
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Note globale
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
10.6
9.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.8
7.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
42
Autour de -17% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
36
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
9.3
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
7.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2150
1891
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Comparaison des RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB Comparaison des RAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link