RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
10.6
9.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.8
7.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
42
Около -17% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
36
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
9.3
Скорость записи, Гб/сек
7.8
7.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2150
1891
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Сравнения RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB Сравнения RAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link