RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Comparez
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Note globale
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Note globale
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.8
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
41
42
Autour de -2% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.7
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
41
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
7.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2150
2154
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Comparaison des RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link