RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
7.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
41
42
Rund um -2% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
41
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
14.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
7.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2150
2154
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB RAM-Vergleiche
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link