RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Comparez
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Note globale
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Note globale
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
42
Autour de -31% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.6
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.7
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
32
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
20.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
14.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2150
3393
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Comparaison des RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link