RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
42
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.6
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.7
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
32
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
3393
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link