RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Comparez
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Note globale
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Note globale
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
42
45
Autour de 7% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
10600
1900
Autour de 5.58% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11.7
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
45
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
11.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
8.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
1900
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-1900, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
no data
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2150
2387
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Comparaison des RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB Comparaison des RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link