RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Comparez
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Note globale
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Note globale
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
42
Autour de -56% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.9
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
27
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
10.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2150
2288
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Comparaison des RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link