RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
42
Rund um -56% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
10.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2150
2288
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB RAM-Vergleiche
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link