RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Comparez
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Note globale
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
42
Autour de -83% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
23
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2150
2936
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Comparaison des RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link