RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
42
Wokół strony -83% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
23
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
2936
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link