RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Comparez
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Note globale
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Note globale
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
42
Autour de -75% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.4
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.6
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
24
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
10.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2150
2462
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Comparaison des RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link