RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
42
Wokół strony -75% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
24
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
2462
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link