RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Comparez
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Note globale
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Note globale
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
18.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
71
Autour de -184% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.6
1,322.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
71
25
Vitesse de lecture, GB/s
2,831.6
18.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,322.6
15.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
399
3702
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link