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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Comparez
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Note globale
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
19.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
71
Autour de -122% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.3
1,322.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
71
32
Vitesse de lecture, GB/s
2,831.6
19.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,322.6
16.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
399
3726
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaison des RAM
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Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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