RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Comparez
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Note globale
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Note globale
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
14.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
71
Autour de -173% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.2
1,322.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
71
26
Vitesse de lecture, GB/s
2,831.6
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,322.6
10.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
399
3035
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link