RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Comparez
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Note globale
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Note globale
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
71
Autour de -184% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.6
1,322.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
71
25
Vitesse de lecture, GB/s
2,831.6
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,322.6
7.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
399
2364
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link