RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Comparez
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Note globale
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Note globale
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
15.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
71
Autour de -82% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.6
1,322.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
71
39
Vitesse de lecture, GB/s
2,831.6
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,322.6
14.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
399
3402
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link