RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Comparez
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Note globale
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
16.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
71
Autour de -122% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.7
1,322.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
71
32
Vitesse de lecture, GB/s
2,831.6
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,322.6
13.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
399
3357
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link