RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Comparez
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Note globale
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
15.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
71
Autour de -129% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.2
1,322.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
71
31
Vitesse de lecture, GB/s
2,831.6
15.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,322.6
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
399
3217
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB Comparaison des RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Crucial Technology CT32G48C40U5.M16A1 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link