RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Comparez
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Note globale
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
69
71
Autour de -3% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.5
1,322.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
71
69
Vitesse de lecture, GB/s
2,831.6
13.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,322.6
6.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
399
1598
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB Comparaison des RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link