RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Comparez
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Note globale
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Note globale
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
16.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
64
71
Autour de -11% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.8
1,322.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
71
64
Vitesse de lecture, GB/s
2,831.6
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,322.6
8.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
399
2065
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link