RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Comparez
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Note globale
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Note globale
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
47
71
Autour de -51% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.5
1,322.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
71
47
Vitesse de lecture, GB/s
2,831.6
10.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,322.6
7.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
399
2211
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link