RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Comparez
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Note globale
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Note globale
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
16.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
71
Autour de -145% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
1,322.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
71
29
Vitesse de lecture, GB/s
2,831.6
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,322.6
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
399
3308
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB Comparaison des RAM
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link