RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Comparez
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Note globale
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Note globale
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
14.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
71
Autour de -145% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.9
1,322.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
71
29
Vitesse de lecture, GB/s
2,831.6
14.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,322.6
8.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
399
2909
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link