RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Comparez
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Note globale
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Note globale
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
71
Autour de -173% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.2
1,322.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
71
26
Vitesse de lecture, GB/s
2,831.6
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,322.6
11.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
399
2912
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link