RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Comparez
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Note globale
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Note globale
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
16.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
71
Autour de -122% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.1
1,322.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
71
32
Vitesse de lecture, GB/s
2,831.6
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,322.6
12.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
399
2641
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link