RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Comparez
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Note globale
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Note globale
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
71
Autour de -137% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.4
1,322.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
71
30
Vitesse de lecture, GB/s
2,831.6
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,322.6
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
399
3140
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link