RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Comparez
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB vs Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Note globale
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Note globale
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
45
Autour de 16% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
14.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.8
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
45
Vitesse de lecture, GB/s
14.2
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
9.8
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
25600
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2451
2925
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB Comparaison des RAM
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link