RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Сравнить
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB против Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Средняя оценка
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
45
Около 16% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
9.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
45
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
15.6
Скорость записи, Гб/сек
9.8
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
25600
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2451
2925
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB Сравнения RAM
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link