Comparaison de la RAM Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

Note globale

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

29 35

Autour de -21% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

22.8 13.7

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

16.9 9.6

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

21300 12800

Autour de 1.66 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2312 3792

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns