RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Comparez
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Note globale
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
36
Autour de 3% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.3
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.9
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
36
Vitesse de lecture, GB/s
13.7
16.3
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
13.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2312
3044
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB Comparaison des RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link