RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
36
Около 3% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.3
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.9
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
36
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
16.3
Скорость записи, Гб/сек
9.6
13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
3044
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link