RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Comparez
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Note globale
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
55
Autour de 36% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.8
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
55
Vitesse de lecture, GB/s
13.7
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
13.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2312
2701
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link