RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
55
Около 36% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.8
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
55
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
15.8
Скорость записи, Гб/сек
9.6
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
2701
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Inmos + 256MB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link